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技术文章
氧化铟锡靶材用途
上海矽诺国际贸易有限公司2020-06-30点击1185次
在薄膜晶体管液晶显示器(t h i n—f i l m t r a n s i s t o r—l i q u i dcrystal display,TFT—LCD)中的导电薄膜按材质分为遮光型和透光型2大类。遮光型导电薄膜就是普通的导电金属,如铝(A l)、铜(C u)、钼(M o)、铬(C r)、钛(T i)等。透光薄膜一般是在一些半导体氧化物中掺杂金属元素,如I TO等[1]。T FT—LCD导电薄膜的特殊性在于使用了透明的掺锡
氧化锡,所以已成为TF T—L CD的制造重要的电极材料。
T F T—L C D工艺按顺序分为阵列( A r r a y )、成盒( C e l l )和模块(Mo d u l e )。以5层薄膜图案的工艺为例,I TO靶材主要是通过溅射(sputter)成膜工艺形成像素电极,与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极,控制液晶分子的旋转实现显示。其在5层薄膜图案的工艺流程是: 溅射前清洗→ITO溅射→I T O后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→I T O湿刻→刻蚀后检查→去胶→退火→阵列终检→激光修复
此外,I T O薄膜还有2个作用:一是存储电容上的I T O为存储电容的另一个电极,与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极,2电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。二是外引线处的I T O为栅线和信号线金属的保护层,为防止金属电极直接暴露在大气下氧化,在外引线暴露金属电极的部分覆盖上I T O起到保护作用。